ON THE PHOTOCONDUCTIVITY RESPONSE OF GAAS DOPED WITH CHROMIUM AND OXYGEN

被引：9

作者：

JIMENEZ, J ^{[1
]}

GONZALEZ, MA ^{[1
]}

SANZ, LF ^{[1
]}

BONNAFE, J ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MONTPELLIER 2,CTR ETUD ELECTR SOLIDES,F-34060 MONTPELLIER,FRANCE

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1982年 / 73卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210730253

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K189 / K192

页数：4

共 7 条

[1] DEEP-LEVEL OPTICAL SPECTROSCOPY IN GAAS [J].

CHANTRE, A ;

VINCENT, G ;

DUBOIS .

PHYSICAL REVIEW B, 1981, 23 (10) :5335-5359

[2]

LIN AL, 1976, J APPL PHYS, V47, P1859, DOI 10.1063/1.322905

LOOK, DC .

[4]

MANIFACIER JC, 1979, 2ND LUND C STE MAX

OKUMURA, T ;

ITOH, Y ;

IKOMA, T .

[6]

PLEISIEWICZ W, 1977, J PHYS CHEM SOLIDS, V38, P1079

TYLER, EH ;

JAROS, M ;

PENCHINA, CM .