APPLICATION OF SILICON CRYSTAL ORIENTATION AND ANISOTROPIC EFFECTS TO CONTROL OF CHARGE SPREADING IN DEVICES

被引：13

作者：

BEAN, KE ^{[1
]}

LAWSON, JR ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75200

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1974.1050477

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：111 / 117

页数：7

共 13 条

[1]

ALLISON DF, 1969, ELECTRONICS, P112

BEAN, KE ;

GLEIM, PS .

[3]

BEAN KE, 1974, SPR EL SOC M SAN FRA

[4]

BEAN KE, 1973, ELECTROCHEM SOC SEMI, P880

[5]

CRISHAL JM, 1962, SPR EL SOC M

[6]

FINNE RM, 1964, SPR EL SOC M

[7] ANISOTROPIC ETCHING OF SILICON [J].

LEE, DB .

[8]

PRICE JB, 1973, ELECTROCHEMICAL SOC, P339

[9]

ROGERS TJ, 1973, IEEE T ELECTRON DEVI, VED20, P226

[10]

ROSENFELD RC, 1972, IEEE ULTRASON S P, P186