CRATER-EDGE PROFILING IN INTERFACE ANALYSIS EMPLOYING ION-BEAM ETCHING AND AES

被引：49

作者：

TAYLOR, NJ

JOHANNESSEN, JS

SPICER, WE

机构：

[1] VARIAN ASSOC,PALO ALTO,CA 94303

[2] STANFORD UNIV,STANFORD ELECTR LABS,STANFORD,CA 94305

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1976年 / 29卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.89136

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：497 / 499

页数：3

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共 3 条

[1] CHANG CC, 1974, CHARACTERIZATION SOL, P509
[2] AUGER ANALYSIS OF SIO2-SI INTERFACE
JOHANNESSEN, JS
SPICER, WE
STRAUSSER, YE
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1976, 47 (07) : 3028 - 3037
[3] JOHANNESSEN JS, UNPUBLISHED