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OBTAINING HIGH ETCH RATES OF GAAS AI0.3GA0.7AS USING METHANE - HYDROGEN MORIE AND ORGANIC PHOTORESIST MASKS
被引：10
作者：
LAW, VJ
JONES, GAC
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/9/022
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：3
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