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REMOVAL OF END-OF-RANGE ION-IMPLANTATION DEFECTS IN SILICON BY NEAR NOBLE AND REFRACTORY SILICIDE FORMATION
被引：4
作者：
LUR, W
CHENG, JY
CHEN, LJ
机构：
来源：
ION BEAM PROCESSING OF ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
|
1989年
/
147卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-147-33
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：33 / 38
页数：6
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