EFFECTS OF TRANSVERSE TEMPERATURE-FIELD NONUNIFORMITY ON STRESS IN SILICON SHEET GROWTH

被引：11

作者：

MATAGA, PA

HUTCHINSON, JW

CHALMERS, B

BELL, RO

KALEJS, JP

机构：

[1] HARVARD UNIV,DIV APPL SCI,CAMBRIDGE,MA 02138

[2] MOBIL SOLAR ENERGY CORP,WALTHAM,MA 02254

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(87)90164-3

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：60 / 64

页数：5

共 7 条

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[2]

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