INFRARED-SPECTROSCOPY OF OXIDE LAYERS ON TECHNICAL SI WAFERS

被引:99
作者
GROSSE, P [1 ]
HARBECKE, B [1 ]
HEINZ, B [1 ]
MEYER, R [1 ]
OFFENBERG, M [1 ]
机构
[1] RHEIN WESTFAL TH AACHEN,INST HALBLEITERTECH,D-5100 AACHEN,FED REP GER
来源
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING | 1986年 / 39卷 / 04期
关键词
D O I
10.1007/BF00617270
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:257 / 268
页数:12
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