EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE

被引：3

作者：

BRANDER, RW

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1964年 / 111卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426276

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：881 / 883

页数：3

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共 7 条

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