HIGH-EFFICIENCY V-BAND GAAS IMPATT DIODES

被引：7

作者：

MA, YE ^{[1
]}

BENKO, E ^{[1
]}

TRINH, T ^{[1
]}

ERICKSON, LP ^{[1
]}

MATTORD, TJ ^{[1
]}

机构：

[1] PERKIN ELMER,DIV PHYS ELECTR,EDEN PRAIRIE,MN 55344

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840141

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：212 / 214

页数：3