PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GAAS GROWN DIRECTLY ON SI SUBSTRATES

被引：33

作者：

ENATSU, M

SHIMIZU, M

MIZUKI, T

SUGAWARA, K

SAKURAI, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1468

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1468 / L1471

页数：4