INFLUENCE OF ACTIVE-LAYER WIDTH ON PERFORMANCE OF HOMOJUNCTION AND SINGLE-HETEROJUNCTION GAAS LIGHT-EMITTING DIODES

被引：13

作者：

HARTH, W ^{[1
]}

HEINEN, J ^{[1
]}

HUBER, W ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV MUNICH,LEHRSTUHL ALLGEMEINE ELEKTROTECH,ARCIS STR 21,8 MUNICH 2,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19750017

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：23 / 24

页数：2

共 5 条

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