AN EXPERIMENTAL 2-BIT CELL STORAGE DRAM FOR MACROCELL OR MEMORY-ON-LOGIC APPLICATION

被引：16

作者：

FURUYAMA, T

OHSAWA, T

NAGAHAMA, Y

TANAKA, H

WATANABE, Y

KIMURA, T

MURAOKA, K

NATORI, K

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1989年 / 24卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/4.18599

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：388 / 393

页数：6

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