EFFECTIVE MOBILITY IN THE INVERTED CHANNEL OF A MOSFET TRANSISTOR FABRICATED IN A THIN-LAYER OF POLYCRYSTALLINE SILICON

被引：4

作者：

MERCIER, A

ELKOOSY, M

LEGLAUNEC, A

LETIRAN, E

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1982年 / 43卷 / NC1期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1982149

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：369 / 374

页数：6

共 6 条

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