FABRICATION OF HIGH QUALITY SILICON JUNCTION DETECTORS BY LOW ENERGY ION IMPLANTATION

被引：23

作者：

KALBITZER, S

BADER, R

HERZER, H

BETHGE, K

机构：

来源：

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK | 1967年 / 203卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1007/BF01326065

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：117 / +

页数：1

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