HIGH-RESOLUTION TUNGSTEN PATTERNING USING BUFFERED, MILDLY BASIC ETCHING SOLUTIONS

被引：13

作者：

SHANKOFF, TA ^{[1
]}

CHANDROSS, EA ^{[1
]}

机构：

[1] BEL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134198

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：294 / 298

页数：5

共 9 条

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