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THE BUFFER LAYER IN THE CVD GROWTH OF BETA-SIC ON (001) SILICON
被引：12
作者：
CHENG, TT
PIROUZ, P
POWELL, JA
机构：
来源：
CHEMISTRY AND DEFECTS IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
|
1989年
/
148卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-148-229
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：229 / 234
页数：6
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