ANISOTROPY OF DEFECT FORMATION IN RADIATED SILICON

被引：6

作者：

FANG, PH

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS | 1965年 / 16卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0031-9163(65)90808-5

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：216 / &

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共 6 条

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