PRESSURE-SENSITIVE SWITCHING DIODES

被引：4

作者：

YAMASHITA, A

TANAKA, M

YAMADA, T

YAMAUCHI, I

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1966年 / 54卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1966.4669

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：317 / +

页数：1

共 6 条

[1] ANISOTROPIC STRESS EFFECT ON EXCESS CURRENT IN TUNNEL DIODES [J].

BERNARD, W ;

RINDNER, W ;

ROTH, H .

[2] SOME EFFECTS OF LOCALIZED STRESS ON SILICON PLANAR TRANSISTORS [J].

EDWARDS, R .

MATSUO, K .

[4]

MTUKURA Y, 1964, J APPL PHYS JAPAN, V3, P256

[5] RESISTANCE OF ELASTICALLY DEFORMED SHALLOW P-N JUNCTIONS .2. [J].

RINDNER, W ;

BRAUN, I .

[6]

RINDNER W, 1962, B AM PHYS SOC, V7, P65