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THE INFLUENCE OF THE HEATING RATE ON THE ANNEALING BEHAVIOR OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON
被引：1
作者：
HASENACK, CM
DESOUZA, JP
ERICHSEN, R
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/10/003
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：979 / 982
页数：4
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