ANODIC PROCESSING FOR MULTILEVEL LSI

被引：13

作者：

SCHWARTZ, GC ^{[1
]}

PLATTER, V ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,E FISHKILL FACIL,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2132760

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：34 / 37

页数：4

共 8 条

GULBRANSEN, EA ;

ANDREW, KF .

[2]

MCMAHON WR, 1970, OCT IEEE INT EL DEV

[3]

ROMANKIW L, COMMUNICATION

SCHWARTZ, GC ;

PLATTER, V .

[5]

SCHWARTZ GC, 1974, MAY EL SOC EXT ABSTR, P13

[6]

SCHWARTZ GC, 1975, MAY EL SOC EXT ABSTR, P182

[7]

TSUNEMITSU H, 1972, NEC RESEARCH DEVELOP

[8]

TSUNEMITSU H, 1969, OCT IEEE INT EL DEV