EINSTEIN RELATIONSHIP + BOLTZMANN BOUNDARY CONDITIONS IN DEGENERATE SEMICONDUCTORS

被引：33

作者：

LADE, RW

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE IEEE | 1964年 / 52卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1964.3099

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：743 / &

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[1] BLAKEMORE JS, 1962, SEMICONDUCTOR STATIS
[2] LADE RW, TO BE PUBLISHED