GEXSI1-X LAYERS GROWN BY RAPID THERMAL-PROCESSING CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：3

作者：

JUNG, KH

KIM, YM

CHUN, HG

KWONG, DL

RABENBERG, L

机构：

来源：

RAPID THERMAL ANNEALING / CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND INTEGRATED PROCESSING | 1989年 / 146卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-146-115

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页数：6