EVAPORATION-CONDENSATION METHOD FOR MAKING GERMANIUM LAYERS FOR TRANSISTOR PURPOSES

被引：25

作者：

COURVOISIER, JC

HAIDINGER, W

JOCHEMS, PJW

TUMMERS, LJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(63)90084-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：265 / &

共 11 条

BILLIG, E .

[2]

COURVOISIER JC, UNPUB

[3] EPITAXY OF GERMANIUM FILMS ON GERMANIUM BY VACUUM EVAPORATION [J].

DAVEY, JE .

[4] *SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE COUCHES MINCES DE GERMANIUM [J].

DUNOYER, JM .

JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM, 1951, 12 (05) :602-606

[5]

JOCHEMS PJW, 1958, P IRE, V46, P1161

[6]

MARINACE JC, 1960, IBM J RES DEV, V4, P247

[7] VAPOR-DEPOSITED SINGLE-CRYSTAL GERMANIUM [J].

RUTH, RP ;

MARINACE, JC ;

DUNLAP, WC .

[8]

SEMILETOV SA, 1956, KRISTALLOGRAFIYA, V1, P542

[9]

SEMILETOV SA, 1956, KRISTALLOGRAFIIA, V2, P209

[10]

THEUERER HC, 1960, P IRE, V48, P1642