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PRELIMINARY STUDIES OF AL-GE-NI OHMIC CONTACTS TO P-TYPE AND N-TYPE GAAS
被引:4
作者
:
GRAHAM, RJ
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0
机构:
ARIZONA STATE UNIV,CTR SOLID STATE ELECTR,TEMPE,AZ 85287
ARIZONA STATE UNIV,CTR SOLID STATE ELECTR,TEMPE,AZ 85287
GRAHAM, RJ
[
1
]
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机构:
ERKAYA, HH
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1
]
ROEDEL, RJ
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ARIZONA STATE UNIV,CTR SOLID STATE ELECTR,TEMPE,AZ 85287
ARIZONA STATE UNIV,CTR SOLID STATE ELECTR,TEMPE,AZ 85287
ROEDEL, RJ
[
1
]
机构
:
[1]
ARIZONA STATE UNIV,CTR SOLID STATE ELECTR,TEMPE,AZ 85287
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1988年
/ 135卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2095577
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
2
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页数:2
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共 2 条
[1]
AL-GE OHMIC CONTACTS TO N-TYPE GAAS
ZULEEG, R
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STEPHENS, JM
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WATANABE, SH
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WATANABE, SH
[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1986,
7
(11)
: 603
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604
[2]
ZULEEG R, 1986, COMMUNICATION
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AL-GE OHMIC CONTACTS TO N-TYPE GAAS
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[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1986,
7
(11)
: 603
-
604
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ZULEEG R, 1986, COMMUNICATION
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