OBSERVATION OF LATTICE-DEFECTS IN GAAS AND HEAT-TREATED SI CRYSTALS BY INFRARED LIGHT-SCATTERING TOMOGRAPHY

被引:72
作者
MORIYA, K
OGAWA, T
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1983年 / 22卷 / 04期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.22.L207
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:L207 / L209
页数:3
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