DEPENDENCE OF ESR LINE WIDTH ON DONOR CONCENTRATION IN SILICON

被引：5

作者：

SUGIURA, Y

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1965年 / 20卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.20.2098

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：2098 / &

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