GAAS-MESFETS WITH A BURIED P-LAYER FOR LARGE-SCALE INTEGRATION

被引：9

作者：

UMEMOTO, Y

TAKAHASHI, S

MATSUNAGA, N

NAKAMURA, M

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840069

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：98 / 100

页数：3

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共 2 条

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