GROWTH TEXTURE OF POLYCRYSTALLINE SILICON PREPARED BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：7

作者：

PRATT, B

KULKARNI, S

POPE, DP

GRAHAM, CD

机构：

[1] UNIV PENN,DEPT ELECT ENGN,PHILADELPHIA,PA 19174

[2] UNIV PENN,DEPT MET & MAT SCI,PHILADELPHIA,PA 19174

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1976年 / 123卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2132688

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1760 / 1762

页数：3

相关论文

共 3 条

[1]

CULLITY BD, 1956, XRAY DIFFRACTION, P290

[2]

RAICHOUDHURY P, 1973, J ELECTROCHEM SOC, V120, P1761, DOI 10.1149/1.2403359

[3] A DIRECT METHOD OF DETERMINING PREFERRED ORIENTATION OF A FLAT REFLECTION SAMPLE USING A GEIGER COUNTER X-RAY SPECTROMETER [J].

SCHULZ, LG .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1949, 20 (11) :1030-1032