SWEEP OSCILLATION MODE OF GAAS IMPATT DIODE

被引：1

作者：

OKAMOTO, H ^{[1
]}

IKEDA, M ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CO, MUSASHINO ELECT COMMUN, MUSASHINO 180, TOKYO, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18410

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：370 / 372

页数：3

共 5 条

[1] ELECTRON DRIFT VELOCITY IN AVALANCHING SILICON DIODES [J].

DUH, CY ;

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[3]

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