HIGH-SPEED OPTOELECTRONIC SWITCHING IN SILICON GAP-SHUNT MICROSTRIP STRUCTURES

被引：24

作者：

PLATTE, W ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ERLANGEN NURNBERG,INST HOCHFREQUENZ TECH,D-8520 ERLANGEN,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760332

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：437 / 438

页数：2

共 4 条

[1] PICOSECOND OPTOELECTRONIC SWITCHING AND GATING IN SILICON [J].

AUSTON, DH .

[2] MICROWAVE SWITCHING BY PICOSECOND PHOTOCONDUCTIVITY [J].

JOHNSON, AM ;

AUSTON, DH .

PLATTE, W ;

APPELHANS, G .

[4]

PLATTE W, 1975, THESIS U ERLANGEN NU