A NOVEL ELECTRON-BEAM EXPOSURE EPITAXY FOR GROWING GAAS FILMS ON FLUORIDE SI STRUCTURES

被引：9

作者：

LEE, HC

ISHIWARA, H

KANEMARU, S

FURUKAWA, S

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1834

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1834 / L1836

页数：3