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DEVELOPMENT OF AN ELECTRET MICROPHONE IN SILICON
被引:32
作者
:
SPRENKELS, AJ
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0
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0
机构:
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
SPRENKELS, AJ
[
1
]
GROOTHENGEL, RA
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机构:
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
GROOTHENGEL, RA
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]
VERLOOP, AJ
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机构:
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
VERLOOP, AJ
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1
]
BERGVELD, P
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机构:
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
BERGVELD, P
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1
]
机构
:
[1]
UNIV TWENTE,7500 AE ENSCHEDE,NETHERLANDS
来源
:
SENSORS AND ACTUATORS
|
1989年
/ 17卷
/ 3-4期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0250-6874(89)80038-1
中图分类号
:
O65 [分析化学];
学科分类号
:
070302 ;
081704 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:509 / 512
页数:4
相关论文
共 3 条
[1]
HOHM D, 1985 C P DAGA85 STUT, P185
[2]
SPRENKELS AJ, 1988, THESIS TWENTE U
[3]
INVESTIGATIONS OF THE SURFACE CONDUCTIVITY OF SILICON DIOXIDE AND METHODS TO REDUCE IT
[J].
VOORTHUYZEN, JA
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VOORTHUYZEN, JA
;
KESKIN, K
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;
BERGVELD, P
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BERGVELD, P
.
SURFACE SCIENCE,
1987,
187
(01)
:201
-211
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共 3 条
[1]
HOHM D, 1985 C P DAGA85 STUT, P185
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SPRENKELS AJ, 1988, THESIS TWENTE U
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INVESTIGATIONS OF THE SURFACE CONDUCTIVITY OF SILICON DIOXIDE AND METHODS TO REDUCE IT
[J].
VOORTHUYZEN, JA
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;
KESKIN, K
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KESKIN, K
;
BERGVELD, P
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BERGVELD, P
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SURFACE SCIENCE,
1987,
187
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