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PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY STUDY IN VERY PURE LNP EPILAYERS
被引：3
作者：
GAUTHIER, D
GOUTIERS, B
PORTAL, JC
DMOWSKI, L
RAZEGHI, M
机构：
[1] INSA-CNRS, France
关键词：
Semiconducting Indium Compounds;
D O I：
10.1088/0268-1242/4/4/004
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：220 / 222
页数：3
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