ELECTRICAL-PROPERTIES OF IMPLANTED AND RAPID THERMAL ANNEALED SHALLOW P+-N JUNCTIONS

被引：13

作者：

OZGUZ, VH

WORTMAN, JJ

HAUSER, JR

SIMPSON, L

LITTLEJOHN, MA

CHU, WK

ROZGONYI, GA

机构：

[1] UNIV N CAROLINA,DEPT PHYS,CHAPEL HILL,NC 27514

[2] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT MAT ENGN,RALEIGH,NC 27695

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95106

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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