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PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY HYDROGEN-RADICAL-ENHANCED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
被引:54
作者
:
SHIBATA, N
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0
机构:
Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn
SHIBATA, N
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机构:
FUKUDA, K
OHTOSHI, H
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机构:
Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn
OHTOSHI, H
HANNA, J
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机构:
Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn
HANNA, J
ODA, S
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机构:
Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn
ODA, S
SHIMIZU, I
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机构:
Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn
SHIMIZU, I
机构
:
[1]
Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/ 26卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.26.L10
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L10 / L13
页数:4
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