PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY HYDROGEN-RADICAL-ENHANCED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：54

作者：

SHIBATA, N

FUKUDA, K

OHTOSHI, H

HANNA, J

ODA, S

SHIMIZU, I

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1987年 / 26卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L10

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L10 / L13

页数：4