PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY HYDROGEN-RADICAL-ENHANCED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引:54
作者
SHIBATA, N
FUKUDA, K
OHTOSHI, H
HANNA, J
ODA, S
SHIMIZU, I
机构
[1] Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1987年 / 26卷 / 01期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.26.L10
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L10 / L13
页数:4
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