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MBE GROWTH OF (HG, CD, AND TE) COMPOUNDS
被引:27
作者
:
CHOW, PP
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CHOW, PP
GREENLAW, DK
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GREENLAW, DK
JOHNSON, D
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JOHNSON, D
机构
:
来源
:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
|
1983年
/ 1卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1116/1.571955
中图分类号
:
TB3 [工程材料学];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
摘要
:
引用
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页码:562 / 563
页数:2
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[1]
CDXHG1-XTE N-TYPE LAYERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FAURIE, JP
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FAURIE, JP
MILLION, A
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MILLION, A
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1982,
41
(03)
: 264
-
266
[2]
MICKLETHWAITE WFH, 1981, SEMICONDUCT SEMIMET, V18, pCH3
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共 2 条
[1]
CDXHG1-XTE N-TYPE LAYERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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1982,
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MICKLETHWAITE WFH, 1981, SEMICONDUCT SEMIMET, V18, pCH3
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