AN EXPERIMENTAL MEMORY CELL USING EDGE-JUNCTION GATES

被引：2

作者：

GEPPERT, LM ^{[1
]}

RAJEEVAKUMAR, TV ^{[1
]}

HENKELS, WH ^{[1
]}

DEUTSCH, U ^{[1
]}

机构：

[1] IBM RES, ZURICH, SWITZERLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMAG.1983.1062334

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1266 / 1269

页数：4

共 4 条

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