RADIATION HARDENED P-SURFACE CHANNEL CCDS

被引：9

作者：

CHANG, CP ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES AIRCRAFT CO,NEWPORT BEACH,CA 92663

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1976.4328555

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1639 / 1643

页数：5

共 6 条

[1] RADIATION-HARDENED CMOS-SOS LSI CIRCUITS [J].

AUBUCHON, KG ;

PETERSON, HT ;

SHUMAKE, DP .

[2] EFFECTS OF GAMMA-RADIATION ON CHARGE-COUPLED DEVICES [J].

BARBE, DF ;

KILLIANY, JM ;

HUGHES, HL .

[3]

CARNES JE, 1975, F1962874C0080 CONTR

FOSSUM, JG ;

DERBENWICK, GF ;

GREGORY, BL .

[5]

HARTSELL GA, 1975, JUN P S CCD TECHN SC, P216

[6] EFFECTS OF IONIZING-RADIATION ON A 256-STAGE LINEAR CCD IMAGER [J].

KILLIANY, JM ;

SAKS, NS ;

BAKER, WD .