共 2 条
- [1] COX RH, 1966 INT EL DEV M
- [2] SCHOTTKY BARRIER GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR[J]. PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1966, 54 (02): : 307 - &MEAD, CA
AN EPITAXIAL GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
被引：45
作者：
HOOPER, WW
LEHRER, WI
机构：
来源：
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS
|
1967年
/
55卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1109/PROC.1967.5817
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：1237 / &
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