WIDE-BANDWIDTH MODULATION OF 3-CHANNEL BURIED-CRESCENT LASER-DIODES

被引：14

作者：

KOREN, U

EISENSTEIN, G

BOWERS, JE

GNAUCK, AH

TIEN, PK

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850354

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：500 / 501

页数：2

相关论文

共 2 条

[1] 3-CHANNEL BURIED-CRESCENT INGAASP LASER WITH 1.51-MU-M WAVELENGTH ON SEMI-INSULATING INP
KOREN, U
ARAI, S
TIEN, PK
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1984, 20 (04) : 177 - 178
[2] KOREN U, 1984, APPL PHYS LETT, V45, P311