LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH OF SI (INVERTED TRANSPORT IN CLOSE-SPACED TECHNIQUE)

被引：11

作者：

BLOEM, J

SCHOLTE, JWA

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1965年 / 112卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2423402

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1211 / &

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