FREQUENCY-DEPENDENCE OF PHOTO-EMF OF STRONGLY INVERTED GE AND SI MIS STRUCTURES .2. EXPERIMENTS

被引：17

作者：

NAKHMANSON, RS ^{[1
]}

OVSYUK, ZS ^{[1
]}

POPOV, LK ^{[1
]}

机构：

[1] INST SEMICOND PHYS,NOVOSIBIRSK,USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90133-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：627 / 634

页数：8

共 7 条

[1]

Nakhmanson R.S., 1964, FIZ TVERD TELA, V6, P1115

NAKHMANSON, RS .

[3]

NAKHMANSON RS, 1964, SOV PHYS-SOL STATE, V6, P859

[4]

NAKHMANSON RS, 1972, Z ELEKTR INFORM ENER, V2, P212

[5]

NAKHMANSON RS, 1965, FIZ TVERD TELA, V7, P3439

[6]

NAKHMANSON RS, 1969, S ELECTRON PROCESSES, P75

[7]

NAKHMANSON RS, 1966, SOV PHYS-SOLID STATE, V7, P2772