A DEVICE MODEL FOR THE AMORPHOUS-SILICON STAGGERED-ELECTRODE THIN-FILM TRANSISTOR

被引：16

作者：

TROUTMAN, RR ^{[1
]}

KOTWAL, A ^{[1
]}

机构：

[1] HARVARD UNIV,DEPT PHYS,CAMBRIDGE,MA 02138

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.40955

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2915 / 2922

页数：8

共 12 条

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