A SUB-MICRON SELF-ALIGNED GAAS-MESFET TECHNOLOGY FOR DIGITAL INTEGRATED-CIRCUITS

被引：3

作者：

LEVY, HM ^{[1
]}

LEE, RE ^{[1
]}

SADLER, R ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 91306

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1982年 / 29卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20977

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1687 / 1687

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共 2 条

[1] Yokoyama N., 1981, International Electron Devices Meeting, P80
[2] YOKOYAMA N, 1981, IEEE ISSCC, P218