INCOHERENT ANNEALING OF IMPLANTED LAYERS IN GAAS

被引：41

作者：

DAVIES, DE ^{[1
]}

MCNALLY, PJ ^{[1
]}

LORENZO, JP ^{[1
]}

JULIAN, M ^{[1
]}

机构：

[1] COMSAT LABS, CLARKSBURG, MD 20871 USA

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25496

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：102 / 103

页数：2

共 6 条

[1] ATAI M, 1981, JPN J APPL PHYS, V20, pL124
[2] DAVIES DE, UNPUB IMPLANTATION A
[3] DONNELLY JP, 1981, 2ND P INT C ION BEAM, P553
[4] Eisen F. H., 1980, LASER ELECTRON BEAM, P309
[5] Fan J. C. C., 1981, Laser and Electron-Beam Solid Interactions and Materials Processing. Proceedings of the Materials Research Society Symposium, P261
[6] ACTIVATION OF LOW-DOSE SILICON IMPLANTS IN GAAS BY MULTIPLY SCANNED ELECTRON-BEAMS
SHAH, NJ
AHMED, H
SANDERS, IR
SINGLETON, JF
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1980, 16 (11) : 433 - 434