GALLIUM OXIDE THIN-FILM BY REACTIVE VAPOR-DEPOSITION

被引：17

作者：

HARIU, T ^{[1
]}

SASAKI, S ^{[1
]}

ADACHI, H ^{[1
]}

SHIBATA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] TOHOKU UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECT ENGN,SENDAI,MIYAGI 980,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.841

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：841 / 842

页数：2

共 4 条

[1] ELECTRICAL-PROPERTIES OF BETA-GA-2O-3 SINGLE-CRYSTALS [J].

HARWIG, T ;

WUBS, GJ ;

DIRKSEN, GJ .

[2] SOME ELECTRICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR BETA-GA2O3 [J].

LORENZ, MR ;

WOODS, JF ;

GAMBINO, RJ .

MATSUMOTO, T ;

AOKI, M ;

KINOSHITA, A ;

AONO, T .

TIPPINS, HH .

PHYSICAL REVIEW, 1965, 140 (1A) :A316-&