A NOVEL SELF-ALIGNED OXYGEN (SALOX) IMPLANTED SOI MOSFET DEVICE STRUCTURE

被引：1

作者：

TZENG, JC

BAERG, W

TING, C

SIU, B

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1987年 / 21卷 / 2-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90807-X

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

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页码：112 / 115

页数：4

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共 4 条

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