GAAS FET PREPARED WITH MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-FILMS

被引：11

作者：

NAGANUMA, M ^{[1
]}

KAMIMURA, K ^{[1
]}

TAKAHASHI, K ^{[1
]}

SAKAI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] TOKYO INST TECHNOL,MEGURO,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.14.581

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：581 / 582

页数：2

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