SURFACE-EMITTING GAINASP INP INJECTION-LASER WITH SHORT CAVITY LENGTH

被引:23
作者
MOTEGI, Y
SODA, H
IGA, K
机构
关键词
D O I
10.1049/el:19820314
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:461 / 463
页数:3
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共 4 条
[2]  
MOTEGI Y, 1982, TOPICAL M INTEGRATED
[3]   GAINASP-INP SURFACE EMITTING INJECTION-LASER WITH BURIED HETEROSTRUCTURES [J].
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