METAL P-N SCHOTTKY-BARRIER DIODES

被引：40

作者：

VANDERZIEL, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MINNESOTA,DEPT ELECT ENGN,MINNEAPOLIS,MN 55455

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1977年 / 20卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90197-6

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：269 / 272

页数：4

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共 1 条

[1] CONTROL OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT USING HIGHLY DOPED SURFACE-LAYERS [J].

SHANNON, JM .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1976, 19 (06) :537-543